DataSheet26.com

D04S60 даташит PDF электронных компонентов

D04S60 функция - SDD04S60 - Infineon Technologies

Номер произв D04S60
Описание SDD04S60
Производители Infineon Technologies 
логотип Infineon Technologies логотип 
предварительный просмотр
		

No Preview Available !

D04S60 Даташит, Описание, Даташиты
www.DataSheet4U.com
Final data
SDP04S60, SDD04S60
SDT04S60
Silicon Carbide Schottky Diode
Worlds first 600V Schottky diode
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on
the switching behavior
Ideal diode for Power Factor
Correction up to 800W 1)
No forward recovery
P-TO220-2-2.
Product Summary
VRRM
600
Qc 13
IF 4
V
nC
A
P-TO252-3-1.
P-TO220-3-1.
Type
SDP04S60
SDD04S60
SDT04S60
Package
P-TO220-3-1.
P-TO252-3-1.
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4369
Q67040-S4368
Q67040-S4445
Marking
D04S60
D04S60
D04S60
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous forward current, TC=100°C
RMS forward current, f=50Hz
IF
IFRMS
Surge non repetitive forward current, sine halfwave IFSM
TC=25°C, tp=10ms
Repetitive peak forward current
Tj=150°C, TC=100°C, D=0.1
Non repetitive peak forward current
IFRM
IFMAX
tp=10µs, TC=25°C
i 2t value, TC=25°C, tp=10ms
Repetitive peak reverse voltage
i2dt
VRRM
Surge peak reverse voltage
Power dissipation, TC=25°C
Operating and storage temperature
VRSM
Ptot
Tj , Tstg
Pin 1
n.c.
n.c.
C
PIN 2
C
A
A
Value
4
5.6
12.5
18
40
0.78
600
600
36.5
-55... +175
PIN 3
A
C
Unit
A
A²s
V
W
°C
Page 1
2004-02-11





Всего страниц 9 Pages
Скачать PDF[ D04S60.PDF Даташит ]

Ссылка Поделиться

D04S60 Datasheet, даташиты


Related Datasheets

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
D04S60  D04S60 Даташит - Infineon TechnologiesSDD04S60Infineon Technologies
Infineon Technologies


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z


DataSheet26.com    |    2017    |   Контакты  |  сегодня   |   English