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даташит D-BYW36 PDF электронных компонентов


D-BYW36 - Diotec - Fast Silicon Rectifiers

Номер произв D-BYW36
Описание Fast Silicon Rectifiers
Производители Diotec
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D-BYW36 Даташит, Описание, Даташиты
D-BYW36, D-BYW38
Version 2008-01-18
Ø 2.6-0.1
Ø 0.8±0.05
Dimensions - Maße [mm]
D-BYW36, D-BYW38
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Si-Gleichrichter
Nominal Current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
2A
600, 800 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Maximum ratings
Type
Typ
D-BYW36
D-BYW38
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
600
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
600
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 55°C IFAV 2 A 1)
f > 15 Hz
IFRM 10 A 1)
TA = 25°C
IFSM 40/45 A
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj -50...+150°C
TS -50...+175°C
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
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D-BYW36 Даташит, Описание, Даташиты
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Tj = 25°C
IF = 2 A
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
D-BYW36, D-BYW38
Kennwerte
VF < 1.2 V
IR < 5 µA
IR < 50 µA
trr < 250 ns
RthA < 45 K/W 1)
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
102
[A]
10
1
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10-1
IF
10-2
50a-(2a-1.1v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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