DataSheet26.com

B5818W PDF даташит

Спецификация B5818W изготовлена ​​​​«LGE» и имеет функцию, называемую «Schottky Barrier Diode».

Детали детали

Номер произв B5818W
Описание Schottky Barrier Diode
Производители LGE
логотип LGE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

B5818W Даташит, Описание, Даташиты
B5817W-B5819W
Schottky Barrier Diode
+
SOD-123
0.053(1.35)
Max.
0.022(0.55)
Typ. Min.
Features
-
For use in low voltage, high frequency inverters
Free wheeling, and polarity protection applications.
0.152(3.85)
0.140(3.55)
0.010(0.25)
Min.
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.006(0.15)
Typ. Min.
0.067(1.70)
0.055(1.40)
MARKING: B5817W: SJ
B5818W:SK
B5819W: SL
0.004(0.10)
Max.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Peak repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Peak forward surge current @=8.3ms
Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
Thermal Resistance
Ambient
Storage temperature
Junction
to
Symbol
VRM
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
IFRM
Pd
RθJA
TSTG
B5817W
20
20
14
B5818W
30
30
21
1
25
625
250
500
-65~+150
B5819W
40
40
28
Unit
V
V
V
A
A
mA
mW
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Symbol
V(BR)
IR
VF
CD
Test conditions
IR= 1mA
VR=20V
VR=30V
VR=40V
B5817W
B5818W
B5819W
B5817W
B5818W
B5819W
B5817W
B5818W
B5819W
IF=1A
IF=3A
IF=1A
IF=3A
IF=1A
IF=3A
VR=4V, f=1MHz
MIN
20
30
40
MAX
UNIT
V
1
0.45
0.75
0.55
0.875
0.6
0.9
120
mA
V
V
V
pF
http://www.luguang.cn









No Preview Available !

B5818W Даташит, Описание, Даташиты
Typical Characteristics
B5817W-B5819W
Schottky Barrier Diode
http://www.luguang.cn










Скачать PDF:

[ B5818W.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
B5818WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5818WSCHOTTKY DIODEShunye
Shunye
B5818WSchottky DiodeTaiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
B5818WSchottky Barrier DiodeLGE
LGE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск