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PDF NTE2689 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2689 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2689
Silicon NPN Transistor
Audio Power Amp
SOT−23 Type Package
Description:
The NTE2689 is a silicon NPN transistor in an SOT−23 surface mount type package designed for use
in audio power amplifier applications.
Features:
D High DC Current Gain
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
Collector Dissipation (Note 1), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Note 1. Package mounted on 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6mm.
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector−Base Breakdown Voltage
BVCBO IC = 1005 A, IE = 0
35 − − V
Collector−Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC = 1mA, IB = 0
30 − − V
Emitter−Base Breakdown Voltage
BVEBO IE = 105 A, IC = 0
5 − −V
Collector Cut−Off Current
ICBO VCB = 35V, IE = 0
− − 0.1 5 A
Emitter Cut−Off Current
IEBO VEB = 5V, IC = 0
− − 0.1 5 A
DC Current Gain
hFE VCE = 1V, IC = 100mA
160 − 320
Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 500mA, IB = 50mA
− − 0.5 V
Transition Frequency
fT VCE = 5V, IC = 10mA
− 120 − MHz
Collector Output Capacitance
Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz − 13 − pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE268 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier | NTE |
| NTE2689 | Silicon NPN Transistor | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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