DataSheet26.com

2SA1002 PDF даташит

Спецификация 2SA1002 изготовлена ​​​​«INCHANGE» и имеет функцию, называемую «Silicon PNP Power Transistor».

Детали детали

Номер произв 2SA1002
Описание Silicon PNP Power Transistor
Производители INCHANGE
логотип INCHANGE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

2SA1002 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
isc Product Specification 
2SA1002 
DESCRIPTION 
·High Current Capability 
·Collector­Emitter Breakdown Voltage­ 
: V(BR)CEO= ­120V(Min.) 
APPLICATIONS 
·Designed for audio and general purpose applications. 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
SYMBOL 
PARAMETER 
VALUE  UNIT 
VCBO  Collector­Base Voltage 
­120 
VCEO  Collector­Emitter Voltage 
­120 
VEBO  Emitter­Base Voltage 
­6  V 
ICollector Current­Continuous 
Collector Power Dissipation 
P@TC=25 
TJunction Temperature 
Tstg  Storage Temperature 
­12  A 
120  W 
150   
­55~150 
isc websitewww.iscsemi.cn 









No Preview Available !

2SA1002 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor 
isc Silicon PNP Power Transistor 
isc Product Specification 
2SA1002 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 
Tj=25  unless otherwise specified 
SYMBOL 
PARAMETER 
CONDITIONS 
MIN  TYP.  MAX  UNIT 
V(BR)CEO  Collector­Emitter Breakdown Voltage  IC= ­30mA; IB= 0 
­120 
V(BR)CBO  Collector­Base Breakdown Voltage  IC= ­1mA; IE= 0 
­120 
V(BR)EBO  Emitter­Base Breakdown Voltage 
IE= ­1mA; IC= 0 
­6 
VCE(sat)  Collector­Emitter Saturation Voltage  IC= ­8A; IB= ­0.8A 
ICBO 
Collector Cutoff Current 
VCB= ­120V; IE= 0 
IEBO 
Emitter Cutoff Current 
VEB= ­6V; IC= 0 
­3.0  V 
­50  μ
­50  μ
hFE  DC Current Gain 
IC= ­0.5A ; VCE= ­5V 
50  200 
f
Current­Gain—Bandwidth Product 
IC= ­1A ; VCE= ­10V 
40 
MHz
isc websitewww.iscsemi.cn 










Скачать PDF:

[ 2SA1002.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SA100(2SA100 - 2SA104) Ge PNP DriftETC
ETC
2SA1001Silicon PNP Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SA1001Trans GP BJT PNP 250V 1.5ANew Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2SA1002Silicon PNP Power TransistorINCHANGE
INCHANGE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск