DataSheet26.com

2SA1001 PDF даташит

Спецификация 2SA1001 изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon PNP Power Transistor».

Детали детали

Номер произв 2SA1001
Описание Silicon PNP Power Transistor
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

2SA1001 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1001
DESCRIPTION
·High Current Capability
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
-130
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
-130
V
-6 V
-8 A
80 W
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark









No Preview Available !

2SA1001 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1001
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA; IB= 0
-130
V
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= -1mA; IE= 0
-130
V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= -1mA; IC= 0
-6
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -0.5A
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= -130V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= -6V; IC= 0
-2.0 V
-50 μ A
-50 μ A
hFE DC Current Gain
IC= -0.5A ; VCE= -5V
fT
Current-GainBandwidth Product
IC= -1A ; VCE= -10V
50 200
40 MHz
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark










Скачать PDF:

[ 2SA1001.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SA100(2SA100 - 2SA104) Ge PNP DriftETC
ETC
2SA1001Silicon PNP Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SA1001Trans GP BJT PNP 250V 1.5ANew Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2SA1002Silicon PNP Power TransistorINCHANGE
INCHANGE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск