8N18 PDF даташит
Спецификация 8N18 изготовлена «Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | 8N18 |
Описание | N-Channel MOSFET Transistor |
Производители | Inchange Semiconductor |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
8N18
·DESCRIPTION
·Drain Current ID= 8A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 180V(Min)
·Fast Switching Speed
·APPLICATIONS
·General purpose power amplifier
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0)
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-continuous@ TC=25℃
180
±20
8
V
V
A
ID(puls)
Pulse Drain Current
20 A
Ptot Total Dissipation@TC=25℃
75 W
Tj Max. Operating Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
1.67 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
No Preview Available ! |
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
isc Product Specification
8N18
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID=1mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VSD Diode Forward On-Voltage
VDS= VGS; ID=1mA
IS=4A ;VGS= 0
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VGS= 10V; ID=4A
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 145V; VGS= 0
Ciss Input Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
Coss Output Capacitance
VDS=25V;
VGS=0V;
fT=1MHz
tr Rise Time
td(on)
Turn-on Delay Time
tf Fall Time
td(off)
Turn-off Delay Time
VGS=10V;
ID=4A;
VDD=100V;
RL=50Ω
MIN TYPE MAX UNIT
180 V
2.0 4.0 V
1.4 V
0.5 Ω
±100 nA
1 µA
750
100 pF
250
150
40
ns
105
135
isc website:www.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
Скачать PDF:
[ 8N18.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
8N10P | N-CHANNEL MOSFET | CHONGQING PINGYANG |
8N18 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |