DataSheet26.com

HBR5100 PDF даташит

Спецификация HBR5100 изготовлена ​​​​«JILIN SINO» и имеет функцию, называемую «SCHOTTKY BARRIER DIODE».

Детали детали

Номер произв HBR5100
Описание SCHOTTKY BARRIER DIODE
Производители JILIN SINO
логотип JILIN SINO логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

HBR5100 Даташит, Описание, Даташиты
肖特基势垒二极管
R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR5100
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IF(AV)
VRRM
Tj
VF(max)
5A
100 V
175
0.7V @Tj=125℃)
用途
z 低压、高频整流
z 低压续流电路和保护电
APPLICATIONS
z Low voltage, high
frequency rectifier
z Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
封装 Package
DO-201AD(DO-27)
产品特性
z轴向结构
z低功耗,高效率
z良好的高温特性
z有过压保护环,高可靠性
z环保(RoHS)产品
FEATURES
zAxial Lead Rectifier
zLow power loss, high efficiency
zHigh Operating Junction
Temperature
zGuard ring for overvoltage
protectionHigh reliability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
封装
Order codes
Marking
Package
HBR5100D
HBR5100 DO-201AD
HBR5100DR
HBR5100 DO-201AD
无卤素
Halogen Free
NO
YES
包装
Packaging
编带 Tape
编带 Tape
器件重量
Device Weight
1.1g(approx.)
1.1g(approx.)
版本(Rev.)201011A
1/5









No Preview Available !

HBR5100 Даташит, Описание, Даташиты
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
符号
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
Symbol
VRRM
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
正向平均整流电流TC=125
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
储存温度
Storage temperature range
TSTG
HBR5100
数值
Value
100
单位
Unit
V
100 V
5A
120 A
175
-40~+150
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
测试条件
最小值 典型值
最大值
Parameter
IR
Tests conditions
Tj =25
Tj =125
VR=VRRM
Value(min) Value(typ) Value(max)
10
5
VF
Tj =25
Tj =125
IF=5A
0.77 0.83
0.65 0.7
单位
Unit
μA
mA
V
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项目
符号
Parameter
Symbol
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
DO-201AD
Rth(j-c)
最小值
最大值 单 位
Value(min) Value(max) Unit
25 /W
版本(Rev.)201011A
2/5









No Preview Available !

HBR5100 Даташит, Описание, Даташиты
R HBR5100
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
IR vs VR
IF(AV) vs TC
CJ vs VR
版本(Rev.)201011A
3/5










Скачать PDF:

[ HBR5100.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
HBR5100SCHOTTKY BARRIER DIODEJILIN SINO
JILIN SINO
HBR5100USCHOTTKY BARRIER DIODEJILIN SINO
JILIN SINO

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск