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PDF NTE219 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE219 | |
| Descripción | Silicon Power Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE130 (NPN) & NTE219 (PNP)
Silicon Power Transistor
Audio Power Amp, Medium Speed Switch
Description:
The NTE130 (NPN) and NTE219 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type case
designed for general purpose switching and amplifier applications.
Features:
D DC Current Gain: hFE = 20 – 70 @ IC = 4A
D Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.1V (Max) @ IC = 4A
D Excellent Safe Operating Area
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.657W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.52°C/W
Electrical Characteristics: (TC =+25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1
60 – – V
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCER(sus) IC = 200mA, RBE = 100Ω, Note 1
70 – – V
Collector Cutoff Current
ICEO VCE = 30V, IB = 0
– – 0.7 mA
ICEX VCE = 100V, VBE(off) = 1.5V
– – 1.0 mA
VCE = 100V, VBE(off) = 1.5V, TC = +150°C –
– 5.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 7V, IC = 0
– – 5.0 mA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs. Duty Cycle ≤ 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE21 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE210 | Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver | NTE |
| NTE2102 | Integrated Circuit NMOS / 1K Static RAM (SRAM) / 350ns | NTE |
| NTE211 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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