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PDF NTE19 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE19 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE18 (NPN) & NTE19 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage, High Current Capacity Driver
Applications:
D Drivers for Amplifiers of up to PO = 60W
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700mA
Pulse (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +135°C
Note 1. PW = 20ms, Duty Cycle = 1/2
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 2mA
V(BR)CBO IC = 50µA
V(BR)EBO IE = 50µA
ICBO VCB = 50V
IEBO VEB = 4V
DC Current Gain
hFE VCE = 3V, IC = 100mA
Collector Saturation Voltage
Transition Frequency
NTE18
NTE19
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 50mA
fT VCE = 10V, IC = 50mA
Output Capacitance
NTE18
NTE19
Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
80 – – V
80 – – V
5––V
– – 0.5 µA
– – 0.5 µA
120 – 270
– 200 400 mV
– 120 – MHz
– 100 – MHz
– 10 – pF
– 14 20 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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