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PDF NTE2415 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2415 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2414 (NPN) & NTE2415 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Digital w/2 Built–In Bias 10k Resistors
(Surface Mount)
Features:
D Built–In Bias Resistors
D Small SOT–23 Surface Mount Package
Applications:
D Switching Circuits
D Inverters
D Interface Circuits
D Driver
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 40V, IE = 0
ICEO VCE = 40V, IB = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 5V, IC = 0
DC Current Gain
hFE VCE = 5V, IC = 10mA
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 10µA, IE = 0
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, RBE = ∞
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10mA, IB = 0.5mA
Current Gain–Bandwidth Product
NTE2414
fT
VCE = 10V, IC = 5mA
NTE2415
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.5 µA
170 250 330 µA
50 – –
50 – – V
50 – – V
– 0.1 0.3 V
– 250 – MHz
– 200 – MHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE241 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier / Switch | NTE |
| NTE2410 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411) | NTE |
| NTE2411 | Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410) | NTE |
| NTE2412 | Silicon NPN Transistor General Purpose / High Voltage Amp / (Compl to NTE2413) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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