DataSheet26.com

NTE91 PDF даташит

Спецификация NTE91 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors».

Детали детали

Номер произв NTE91
Описание Silicon Complementary Transistors
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE91 Даташит, Описание, Даташиты
NTE90 (NPN) & NTE91 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
General Purpose High Gain Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
CollectorEmitter Breakdown Voltage
CollectorBase Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
BaseEmitter Voltage
CollectorEmitter Saturation Voltage
Current GainBandwidth Product
Collector Output Capacitance
V(BR)CEO
V(BR)CBO
ICBO
hFE1
hFE2
VBE
VCE(sat)
fT
Cob
IC = 1mA, RBE =
IC = 10µA, IE = 0
VCB = 100V, IB = 0
VCE = 12V, IC = 2mA
VCE = 12V, IC = 10mA
VCE = 12V, IC = 2mA
IC = 10mA, IB = 1mA
VCE = 12V, IC = 5mA
VCB = 25V, IE = 0, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
120 − − V
120 − − V
− − 0.5 µA
400 800
125 − −
− − 0.75 V
− − 0.2 V
350 MHz
1.6 pF









No Preview Available !

NTE91 Даташит, Описание, Даташиты
.339
(8.62)
Max
.512
(13.0)
Min
Seating Plane
.026 (.66)
Dia Max
ECB
.100 (2.54)
.240 (6.09) Max
.200
(5.08)
Max










Скачать PDF:

[ NTE91.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE90Silicon Complementary Transistors General Purpose High Gain AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE902Integrated Circuit Operational Transconductance AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE903Integrated Circuit Operational AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE904Integrated Circuit General Purpose Transistor Array (Two Isolated Transistors and a Darlington Connected Transistor Pair)NTE Electronics
NTE Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск