DataSheet26.com

NTE93 PDF даташит

Спецификация NTE93 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors».

Детали детали

Номер произв NTE93
Описание Silicon Complementary Transistors
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE93 Даташит, Описание, Даташиты
NTE92 (NPN) & NTE93 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
HiFi Power Amp, Audio Output
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE93MCP). Matched comple-
mentary pairs have their gain specification (hFE) matched to within 10% of each other.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ICBO
IEBO
VCB = 200V
VBE = 6V
CollectorEmitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
CollectorEmitter Saturation Voltage
Transistion Frequency
V(BR)CEO IC = 50mA
hFE VCE = 4V, IC = 5A
VCE(sat) IC = 10A, IB = 1A
fT VCE = 12V, IE = 0.5A
Min Typ Max Unit
− − 0.1 mA
− − 0.1 mA
200 − − V
30 120
3 V
20 MHz









No Preview Available !

NTE93 Даташит, Описание, Даташиты
1.430 (36.32)
.961 (24.42)
B CE
.215 (5.48)
Collector connected to Tab
.843
(21.42)
.788
(20.02)
Min
.118 (3.0)
.244 (6.2) Max










Скачать PDF:

[ NTE93.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE90Silicon Complementary Transistors General Purpose High Gain AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE902Integrated Circuit Operational Transconductance AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE903Integrated Circuit Operational AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE904Integrated Circuit General Purpose Transistor Array (Two Isolated Transistors and a Darlington Connected Transistor Pair)NTE Electronics
NTE Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск