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PDF NTE465 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE465 | |
| Descripción | Silicon Complementary MOSFET Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE464 (P–Ch) & NTE465 (N–Ch)
Silicon Complementary MOSFET Transistors
Enhancement Mode for Switching Applications
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.56mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Drain–Source Breakdown Voltage
Zero–Gate–Voltage Drain Current
Gate Reverse Current
ON Characteristics
V(BR)DSX ID = –10µA, VGS = 0
IDSS VDS = –10V, VGS = 0, TA = +25°C
VDS = –10V, VGS = 0, TA = +150°C
IGSS VGS = ±30V, VDS = 0
Gate Threshold Voltage
Drain–Source On–Voltage
On–State Drain Current
VGS(Th)
VDS(on)
ID(on)
VDS = –10V, ID = –10µA
ID = –2mA, VGS = –10V
VGS = –10V, VDS = –10V
Min Typ Max Unit
–25 –
–
V
– – –10 nA
– – –10 µA
– – ±10 pA
–1 – –5
V
– – –1
V
–3 – – mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE46 | Silicon NPN Transistor Darlington / General Purpose Amplifier / Preamp / Driver | NTE |
| NTE460 | Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp | NTE |
| NTE464 | Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications | NTE |
| NTE465 | Silicon Complementary MOSFET Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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