S9018LT1 PDF даташит
Спецификация S9018LT1 изготовлена «Tuofeng Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | S9018LT1 |
Описание | NPN Transistor |
Производители | Tuofeng Semiconductor |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S9018LT1 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 0.05
Collector-base voltage
A
V(BR)CBO:
25 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
2. 4
1. 3
Unit: mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
VBE(sat)
Test conditions
Ic= 100µA, IE=0
Ic= 0.1mA, IB=0
IE=100µA, IC=0
VCB=20V, IE=0
VCE=15V, IB=0
VEB= 3V, IC=0
VCE=5V, IC= 1mA
IC=10mA, IB= 1mA
IC=10mA, IB= 1mA
MIN TYP
25
18
4
70
MAX UNIT
V
V
V
0.1 µA
0.1 µA
0.1 µA
190
0.5 V
1.4 V
Transition frequency
VCE=5V, IC= 5mA
fT
f=400MHz
600
MHz
DEVICE MARKING
S9018LT1= J8
Скачать PDF:
[ S9018LT1.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
S9018LT1 | SOT-23 Plastic Rncapsulate Transistors | Jiangsu Changjiang |
S9018LT1 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Elite |
S9018LT1 | NPN Transistor | Tuofeng Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |