D1006 PDF даташит
Спецификация D1006 изготовлена «Renesas» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor - 2SD1006». |
|
Детали детали
Номер произв | D1006 |
Описание | NPN Transistor - 2SD1006 |
Производители | Renesas |
логотип |
4 Pages
No Preview Available ! |
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SD1006, 1007
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. D17972EJ4V0DS00 (4th edition)
(Previous No. TC-1369B)
Date Published March 2006 NS CP(K)
Printed in Japan
c
1982
No Preview Available ! |
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
2SD1006, 1007
2 Data Sheet D17972EJ4V0DS
No Preview Available ! |
2SD1006, 1007
Data Sheet D17972EJ4V0DS
3
Скачать PDF:
[ D1006.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
D1000 | NPN Transistor - 2SD1000 | Renesas |
D1001 | NPN Transistor - 2SD1001 | Renesas |
D1001UK | GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W - 28V - 175MHz SINGLE ENDED | Seme LAB |
D1002UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |