DataSheet26.com

C3514 PDF даташит

Спецификация C3514 изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor - 2SC3514».

Детали детали

Номер произв C3514
Описание NPN Transistor - 2SC3514
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

C3514 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC3514
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 180V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type 2SA1383
APPLICATIONS
·Adudio frequency power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
180 V
VEBO Emitter-Base Voltage
5.0 V
IC Collector Current-Continuous
0.1 A
Collector Power Dissipation@ Ta=25
1.5
PC
Collector Power Dissipation@TC=25
10
W
TJ Junction Temperature
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc Websitewww.iscsemi.cn
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/









No Preview Available !

C3514 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC3514
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 50mA; IB= 5mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 50mA; IB= 5mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 180V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= 3.0V; IC=0
hFE-1
DC Current Cain
IC= 1mA; VCE= 5V
hFE-2
DC Current Cain
IC= 10mA; VCE= 5V
fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 20mA; VCE= 10V
COB Output Capacitance
IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1.0MHz
MIN TYP. MAX UNIT
0.5 V
1.5 V
1.0 μA
1.0 μA
90
100 320
200 MHz
3.2 pF
‹ hFE-2 Classifications
QP
100-200 160-320
isc Websitewww.iscsemi.cn
2
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/










Скачать PDF:

[ C3514.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
C3514NPN Transistor - 2SC3514Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
C3515NPN Transistor - 2SC3515Toshiba
Toshiba
C3518-ZSILICON POWER TRANSISTORRenesas
Renesas
C3518-ZNPN Transistor - 2SC3518-ZRenesas
Renesas

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск