DataSheet.es    


PDF GT50N324 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GT50N324
Descripción silicon N-channel IGBT
Fabricantes Toshiba 
Logotipo Toshiba Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de GT50N324 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 6 Páginas

No Preview Available ! GT50N324 Hoja de datos, Descripción, Manual

GT50N324
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N324
電圧共振インバータスイッチング用
6 世代
単位: mm
高速 FRD を内蔵しています。
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。
スイッチング時間が速い。 IGBT: tf = 0.11 μs (標準) IC = 60 A
FRD: trr = 0.8 μs (標準) di/dt=20 A/μs)
飽和電圧が低い。
VCE (sat) = 1.90 V (標準) IC = 60 A
絶対最大定格 (Ta = 25 °C)
項目
記 号 定 格 単位
コレクタ・エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
DC
1 ms
ダイオード順電流
DC
1 ms
コ レ ク タ 損 失 (Tc = 25°C)
接合温度
保存温度
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFP
PC
Tj
Tstg
1000
± 25
50
120
15
120
150
150
55~150
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
東芝
2-16C1C
質量: 4.6 g (標準)
: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
現品表示
等価回路
コレクタ
TOSHIBA
50 N324
製品名(または略号)
ロット No.
1
ゲート
注1: ロット No.の下線は、製品ラベルに記載される表示を識別するものです。
[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
エミッタ
本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合わせください。
RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限(RoHS)に関する 2011 6 8 日付けの
欧州議会および欧州理事会の指令(EU 指令 2011/65/EU)」のことです。
製品量産開始時期
2008-03
1 2013-11-01

1 page




GT50N324 pdf
逆バイアス安全動作領域
300
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
100 RG = 10 Ω
50
30
10
5
3
1
1
30
100
300
1000
3000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Irr, trr – di/dt
50 1.25
trr
40
コレクタ接地
IF = 60 A
Tc = 25°C
1
30 0.75
20 0.5
10 Irr
0.25
00
50
100
150
200
250
di/dt (A/μs)
GT50N324
100
コレクタ接地
80
IF – VF
60
40
40
20
Tc = 125°C
25
0
0.0 0.5 1.0 1.5
2.0
ダイオード順電圧 VF (V)
2.5
Irr, trr – IF
10 2.5
コレクタ接地
di/dt = −20 A/μs
8
Tc = 25°C
2
6 1.5
Irr
trr
41
2 0.5
00
0 20 40 60 80
順 電 流 IF (A)
5 2013-11-01

5 Page










PáginasTotal 6 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet GT50N324.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GT50N321Insulated Gate Bipolar TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
GT50N322AInsulated Gate Bipolar TransistorToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
GT50N324silicon N-channel IGBTToshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar