DataSheet26.com

WSB5520F PDF даташит

Спецификация WSB5520F изготовлена ​​​​«WillSEMI» и имеет функцию, называемую «Schottky Barrier Diode».

Детали детали

Номер произв WSB5520F
Описание Schottky Barrier Diode
Производители WillSEMI
логотип WillSEMI логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

WSB5520F Даташит, Описание, Даташиты
WSB5519F/5520F/5521F/5522F
Schottky Barrier Diode
Features
Exetremely Fast Switching Speed
Standard products are Pb-free
Halogen-free
and
WSB5519F/5520F/5521F/5522F
Http//:www.willsemi.com
SOT-23
WSB5519F
MARKING:KL1
WSB5520F
MARKING:KL2
Order information
Device
WSB5519F-3/TR
WSB5520F-3/TR
WSB5521F-3/TR
WSB5522F-3/TR
WSB5521F
MARKING:KL3
Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
WSB5522F
MARKING:KL4
Shipping
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
Will Semiconductor Ltd.
1 Jun, 2013 - Rev. 1.1









No Preview Available !

WSB5520F Даташит, Описание, Даташиты
Absolute maximum ratings
Parameter
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Blocking voltage (DC)
Forward Continuous Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction temperature
Storage temperature
WSB5519F/5520F/5521F/5522F
Symbol
VRRM
VRWM
VR
IFM
PD
RθJA
TJ
TSTG
Value
30
30
30
0.2
200
500
125
-55 ~ 150
Unit
V
V
V
A
mW
/W
Electronics characteristics (TA=25oC)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse current
Diode capacitance
Reverse recovery time
Symbol
VBR
VF1
VF2
VF3
VF4
VF5
IR
CD
trr
Condition
IR=100uA
IF=0.1mA
IF =1mA
IF =10mA
IF =30mA
IF =100mA
VR=25V
VR=1V,f=1MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1XIR,RL=100Ω
Min.
30
Typ.
Max.
0.24
0.32
0.40
0.50
1
2
10
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
pF
5 ns
Will Semiconductor Ltd.
2 Jun, 2013 - Rev. 1.2









No Preview Available !

WSB5520F Даташит, Описание, Даташиты
WSB5519F/5520F/5521F/5522F
Typical characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
1000
100
10
1
0.1
Ta=100oC
Ta=25oC
100
Ta=100oC
10
1
0.1
Ta=25oC
0.01
0
100 200 300 400 500 600 700 800
Forward Voltage: V (mV)
F
Forward voltage vs. Forward current
0.01
0
5 10 15 20
Reverse Voltage: V (V)
R
25
Reverse current vs. Reverse voltage
30
20
F = 1MHz
16 Ta = 25oC
12
8
4
0
0 5 10 15 20 25 30
Reverse Voltage: V (V)
R
Junction capacitance vs. Reverse voltage
100
80
60
40
20
0
0
25 50 75 100 125
T - Ambient temperature (oC)
A
Power Derating
150
Will Semiconductor Ltd.
3 Jun, 2013 - Rev. 1.2










Скачать PDF:

[ WSB5520F.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
WSB5520FSchottky Barrier DiodeWillSEMI
WillSEMI

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск