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Número de pieza | WSB5546N | |
Descripción | Schottky Barrier Diode | |
Fabricantes | WillSEMI | |
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No Preview Available ! WSB5546N
0.2A, Schottky Barrier Diode
Features
Low reverse current
0.2A Average rectified forward current
Standard products are Pb-free and Halogen-free
WSB5546N
Http://www.sh-willsemi.com
DFN1006-2L
Circuit
Absolute maximum ratings
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Peak forward current (1)
Junction temperature
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
VRM
VR
IO
IFSM
TJ
Topr
Tstg
Marking
Value
40
40
0.2
3
150
-40 ~ 150
-55 ~ 150
Unit
V
V
A
A
OC
OC
OC
Electronics characteristics (TA=25oC)
Parameter
Symbol
Condition
Forward voltage (2)
Reverse current
Junction capacitance
Thermal resistance
VF
IR
CJ
Rθ(j-a)
IF=0.2A
VR=10V
VR=40V
VR=4V, F=1MHz
Junction to ambient
Min.
-
-
-
-
-
Order Informations
Device
WSB5546N-2/TR
Package
DFN1006-2L
Marking
M* (3)
Typ.
0.51
-
-
17
-
Max.
0.60
0.5
1
-
500
Unit
V
uA
uA
pF
K/W
Shipping
10000/Reel&Tape
Note 1: Pulse Width=8.3ms, Single half-sine Pulse;
Note 2: Pulse Width<380us;
Note 3:* = Month code (A~Z); M = Device code;
Will Semiconductor Ltd.
1
2014/11/21 – Rev. 1.0
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet WSB5546N.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
WSB5546N | Schottky Barrier Diode | WillSEMI |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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