DataSheet26.com

HCT7000M PDF даташит

Спецификация HCT7000M изготовлена ​​​​«TT» и имеет функцию, называемую «N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor».

Детали детали

Номер произв HCT7000M
Описание N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor
Производители TT
логотип TT логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

HCT7000M Даташит, Описание, Даташиты
N-Channel Enhancement
Mode MOS Transistor
HCT7000M, HCT70000MTX, HCT7000MTXV
Features:
 200 mA ID
 Ultra small surface mount package
 RDS(ON) < 5Ω
 Pin-out compatible with most SOT23 MOSFETS
Description:
The HCT7000M is a high performance enhancement mode Nchannel MOS transistor chip packaged in the ultra small 3 pin 
ceramic LCC package. Electrical characteris cs are similar to those of the JEDEC 2N7000.  The pinout and footprint matches 
that of most enhancement mode MOS transistors built in SOT23 plas c packages. 
 
TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa erned a er MILPRF19500. 
TX products receive a VGS HTRB at 24 V for 48 hrs. at 150° C and a VDS HTRB at 48 V for 260 hrs.at 150° C. 
 
Applications:
 Switching applications:
small servo motor
control, power MOSFET
gate drives
 Relay Drivers
 High Speed Line
Drivers
 Power Supplies
 
Part 
Number 
Sensor Type 
HCT7000M 
HCT7000MTX 
HCT7000MTXV 
NChannel 
Enhanced  
MOSFET 
VDSS  VGS(TH) Min/ ID(ON) (mA)  Gfs (ms)  t(ON) / t(OFF) (ns) 
Min  Max 
Min  Min 
Max 
Package 
60  0.8 / 3.0 
75 
100  10 / 10  3pin Ceramic 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 1









No Preview Available !

HCT7000M Даташит, Описание, Даташиты
N-Channel Enhancement Mode
MOS Transistor
HCT7000M, HCT70000MTX, HCT7000MTXV
Absolute Maximum Ra ngs  
Drain Source Voltage 
GateSource Voltage 
Drain Current  
Power Dissipa on (TA = 25° C) 
Power Dissipa on (TS(1) = 25° C) 
Opera ng and Storage Temperature 
Thermal Resistance RØJC 
Thermal Resistance RØJA 
60V 
±40 V 
200 mA 
300 mW 
600 mW(2) 
55° C to 150° C 
100° C/W 
583° C/W 
Electrical Characteris cs (TA = 25° C unless otherwise noted) 
SYMBOL 
PARAMETER 
MIN  MAX  UNITS 
TEST CONDITIONS 
VDSS 
VGS(TH) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
VDS(ON) 
Gfs 
Ciss 
Coss 
Crss 
t(on) 
t(o) 
Drain Source Voltage 
Gate Threshold Voltage 
Gate Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnSite Drain Current 
Drain Source on-Resistance
Drain Source onVoltage 
Forward Transconductance
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance 
Turnon Time 
Turnoff Time 
60   
.8  3.0 
  ±10 
  1 
75   
  5 
  2.5 
100   
  60 
  25 
  5 
  10 
  10 
V  VGS = 0 V, ID = 10 µa 
V  VDS = VGS, ID = 1 mA 
nA  VDS = 0 V, VGS = ±15 V 
µA  VGS = 0 V, VDS = 48 V 
mA  VDS = 10 V, VGS = 4.5 V 
Ω  VGS = 10 V, ID = 0.5 A 
V  VGS = 10 V, ID = 0.5 A 
mS  VDS = 10 V, ID = 0.2 A 
pF 
pF  VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1MHz 
pF 
ns 
VDD = 15 V, ID = 0.5 A, Vgen = 10 V, Rg = 25Ω 
ns 
Note:  
1)  TS = Substrate temperature that the chip carrier is mounted on. 
2)  This ra ng is provided as an aid to designers. It is dependent upon moun ng material and methods and is not measurable as an outgoing test. 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 2










Скачать PDF:

[ HCT7000M.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
HCT7000N-Channel Enhancement Mode MOS TransistorETC
ETC
HCT70000MTXN-Channel Enhancement Mode MOS TransistorTT
TT
HCT7000MN-Channel Enhancement Mode MOS TransistorOPTEK
OPTEK
HCT7000MN-Channel Enhancement Mode MOS TransistorTT
TT

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск