HN3C12F PDF даташит
Спецификация HN3C12F изготовлена «Toshiba Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)». |
|
Детали детали
Номер произв | HN3C12F |
Описание | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
Производители | Toshiba Semiconductor |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
Скачать PDF:
[ HN3C12F.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
HN3C12 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
HN3C12 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
HN3C12F | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
HN3C12FU | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |