DataSheet26.com

SBT5551F PDF даташит

Спецификация SBT5551F изготовлена ​​​​«AUK corp» и имеет функцию, называемую «NPN Silicon Transistor».

Детали детали

Номер произв SBT5551F
Описание NPN Silicon Transistor
Производители AUK corp
логотип AUK corp логотип 

3 Pages
scroll

No Preview Available !

SBT5551F Даташит, Описание, Даташиты
Semiconductor
SBT5551F
NPN Silicon Transistor
Descriptions
General purpose amplifier
High voltage application
Features
high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Complementary pair with SBT5401F
Ordering Information
Type NO.
Marking
Package Code
SBT5551F FNF SOT-23F
Outline Dimensions
unit : mm
2.4±0.1
1.6±0.1
1
3
2
PIN Connections
1. Base
2. Emitter
3. Collector
KST-2097-000
1









No Preview Available !

SBT5551F Даташит, Описание, Даташиты
SBT5551F
Absolute maximum ratings
Characteristic
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
180
160
6
600
200
150
-55~150
(Ta=25°C)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
Test Condition
Collector-Base breakdown voltage
BVCBO
IC=100µA, IE=0
Collector-Emitter breakdown voltage
BVCEO
IC=1mA, IB=0
Emitter-Base breakdown voltage
BVEBO
IE=10µA, IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=120V, IE=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=4V, IC=0
DC current gain
hFE (1)
VCE=5V, IC=1mA
DC current gain
hFE (2)
VCE=5V, IC=10mA
DC current gain
Collector-Emitter saturation voltage
Collector-Emitter saturation voltage
Base-Emitter saturation voltage
hFE (3)
VCE(sat)(1)*
VCE(sat)(2)*
VBE(sat)(1)*
VCE=5V, IC=50mA
IC=10mA, IB=1mA
IC=50mA, IB=5mA
IC=10mA, IB=1mA
Base-Emitter saturation voltage
VBE(sat)(2)* IC=50mA, IB=5mA
Transition frequency
fT VCE=10V, IC=10mA
Collector output capacitance
Cob VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* : Pulse Tester : Pulse Width 300µs, Duty Cycle 2.0%
(Ta=25°C)
Min. Typ. Max. Unit
180 - - V
160 - - V
6- - V
- - 100 nA
- - 100 nA
80 -
-
80 - 250 -
30 -
-
- - 0.2 V
- - 0.5 V
-- 1V
-- 1V
100 - 400 MHz
- - 6 pF
KST-2097-000
2









No Preview Available !

SBT5551F Даташит, Описание, Даташиты
Electrical Characteristic Curves
Fig. 1 hFE - IC
Fig. 2 IC - VBE
SBT5551F
Fig. 3 fT - IC
v Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC
Fig. 5 Cob - VCB
KST-2097-000
3










Скачать PDF:

[ SBT5551F.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SBT5551NPN Silicon TransistorAUK corp
AUK corp
SBT5551FNPN Silicon TransistorAUK corp
AUK corp

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск