DataSheet26.com

NTE10 PDF даташит

Спецификация NTE10 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier».

Детали детали

Номер произв NTE10
Описание Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE10 Даташит, Описание, Даташиты
NTE10
Silicon NPN Transistor
UHF Low Noise Wide–Band Amplifier
Features:
D Low Noise Figure: NF = 2.2dB Typ (f = 0.9GHz)
D High Power Gain: MAG = 14dB Typ (f = 0.9GHz)
D High Cutoff Frequency: fT = 5GHz Typ
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70mA
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 12V, IE = 0
– – 1.0 µA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 2V, IC = 0
– – 10 µA
DC Current Gain
hFE VCE = 10V, IC = 20mA
40 – 200
Gain–Bandwidth Product
fT VCE = 10V, IC = 20mA
– 5.0 – GHz
Output Capacitance
Cob VCB = 10V, f = 1MHz
– 0.8 1.1 pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre VCB = 10V, f = 1MHz
– 0.5 – pF
Forward Transfer Gain
|S21e|2 VCE = 10V, IC = 20mA, f = 0.9GHz 8 10 – dB
Maximum Available Power Gain MAG VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz – 14 – dB
Noise Figure
NF VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz – 2.2 4.5 dB









No Preview Available !

NTE10 Даташит, Описание, Даташиты
.210
(5.33)
Max
.135 (3.45) Min
Seating Plane
.500
(12.7)
Min
.021 (.445) Dia Max
BEC
.100 (2.54)
.050 (1.27)
.165
(4.2)
Max
.105 (2.67) Max
.205 (5.2) Max
.105 (2.67) Max










Скачать PDF:

[ NTE10.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE10Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band AmplifierNTE
NTE
NTE100Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed SwitchNTE
NTE
NTE1002Integrated Circuit FM IF TV AmpNTE
NTE
NTE1003Integrated Circuit FM/AM IF AmplifierNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск