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PDF NTE107 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE107 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor UHF Oscillator for Tuner | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE107
Silicon NPN Transistor
UHF Oscillator for Tuner
Description:
The NTE107 is a silicon NPN planar epitaxial transistor in a TO92 type package designed specifically
for high frequency applications. This device is suitable for use as an oscillator in UHF television tuners.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.67mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Lead temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Static Characteristics
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Forward Current Transfer Ratio
Collector Saturation Voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
IC = 100µA
ICEO = 3mA, Note 1
IE = 100µA
VCB = 15V, IE = 0
VEB = 2V, IC = 0
VCE = 10V, IC = 8mA
IC = 10mA, IB = 1mA
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 1µs, Duty Cycle = 1%.
Min Typ Max Unit
30 – – V
12 – – V
3– – V
– – 0.5 µA
– – 0.5 µA
20 75 –
– – 0.6 V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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