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PDF NTE123AP Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE123AP | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Audio Amplifier / Switch (Compl to NTE159) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE123AP
Silicon NPN Transistor
Audio Amplifier, Switch
(Compl to NTE159)
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total Device Dissipation (TA = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C
Total Device Dissipation (TC = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction to Case, RθJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient, RθJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Base Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 1
V(BR)CBO IC = 0.1mA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0
ICEV VCE = 35V, VEB(off) = 0.4V
IBEV VCE = 35V, VEB(off) = 0.4V
DC Current Gain
hFE VCE = 1V, IC = 0.1mA
VCE = 1V, IC = 1mA
VCE = 1V, IC = 10mA
VCE = 1V, IC = 150mA
VCE = 1V, IC = 500mA
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
40 – –
V
60 – –
V
6––
V
– – 0.1 µA
– – 0.1 µA
20 – –
40 – –
80 – –
100 – 300
40 – –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE123A | Silicon Complementary Transistors General Purpose | NTE |
| NTE123AP | Silicon NPN Transistor Audio Amplifier / Switch (Compl to NTE159) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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