DataSheet26.com

NTE13 PDF даташит

Спецификация NTE13 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Transistor Low Voltage Output Amp».

Детали детали

Номер произв NTE13
Описание Silicon NPN Transistor Low Voltage Output Amp
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE13 Даташит, Описание, Даташиты
NTE13
Silicon NPN Transistor
Low Voltage Output Amp
Features:
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage
D High DC Current Gain
D An M Type Mold package that Allows Downsizing of Equipment and Automatic Insertion by
Taping and Magazine Packaging
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Transistion Frequency
Collector Capaciatnce
ICBO VCB = 25V, IC = 0
VCBO IC = 10µA, IE = 0
VCEO IC = 1mA, IB = 0
VEBO IE = 10µA, IC = 0
hFE VCE = 2V, IC = 500mA, Note 1
VCE = 2V, IC = 1A, Note 1
VCE(sat) IC = 500mA, IB = 20mA
VBE(sat) IC = 500mA, IB = 50mA
fT VCB = 10V, –IE = 50mA
Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
Note 1. Pulse Test
Min Typ Max Unit
– – 100 nA
25 – – V
20 – – V
12 – – V
400 – 800
60 – –
– 0.13 0.4 V
– – 1.2 V
– 200 – MHz
– 10 – pF









No Preview Available !

NTE13 Даташит, Описание, Даташиты
.271 (6.9)
.098
(2.5)
.137
(3.5)
BCE
.039 (1.0)
.039 (1.0)
.122
(3.1)
.177
(4.5)
.161
(4.1)
.098 (2.5)










Скачать PDF:

[ NTE13.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE10Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band AmplifierNTE
NTE
NTE100Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed SwitchNTE
NTE
NTE1002Integrated Circuit FM IF TV AmpNTE
NTE
NTE1003Integrated Circuit FM/AM IF AmplifierNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск