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PDF NTE133 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE133 | |
| Descripción | N.Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE133
N–Channel JFET Silicon Transistor
General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25V
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case for 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
Zero–Gate–Voltage Drain Current
Forward Transfer Admittance
V(BR)GSS IG = 1µA, VDS = 0
IGSS VGS = 20V, VDS = 0
VGS = 20V, VDS = 0, TA = +150°C
VGS(off) ID = 1µA, VDS = 15V
VGS ID = 50µA, VDS = 15V
IDSS VDS = 15V, VGS = 0
|yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
Min Typ Max Unit
–25 – –
V
– – –1 nA
– – –1 µA
– – –6.5 V
–0.4 – –6.0 V
0.5 – 15 mA
1000 – 7500 µmho
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE13 | Silicon NPN Transistor Low Voltage Output Amp | NTE |
| NTE130 | Silicon Power Transistor Audio Power Amp / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1300 | Integrated Circuit TV Remote Control | NTE |
| NTE1301 | Integrated Circuit AM/FM IF | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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