DataSheet26.com

NTE16001 PDF даташит

Спецификация NTE16001 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Transistor Video IF Amp».

Детали детали

Номер произв NTE16001
Описание Silicon NPN Transistor Video IF Amp
Производители NTE
логотип NTE логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE16001 Даташит, Описание, Даташиты
NTE16001
Silicon NPN Transistor
Video IF Amp
Features:
D High Transistion Frequency
D Good Linearity of DC Current Gain
D An M Type Mold package that Allows Easy Manual and Automatic Insertion. Can be Firmly
Mounted Flush to PC Board Surface.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Volatge
Transistion Frequency
ICEO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE
VCE(sat)
fT
VCE = 20V, IB = 0
IC = 10µA, IE = 0
IC = 1mA, IB = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 10V, IE = –10mA
IC = 20mA, IB = 2mA
VCB = 10V, IE = –10mA, f =
100MHz
– – 10 µA
45 – – V
35 – – V
4––V
20 50 100
– – 0.5 V
300 500 – MHz
Small–Signal Reverse Transfer Capaci-
tance
Cre VCE = 10V, IC = 1mA
– – 1.5 pF
Power Gain
PG VCB = 10V, IE = –10mA, f = 58MHz – 18 – dB









No Preview Available !

NTE16001 Даташит, Описание, Даташиты









No Preview Available !

NTE16001 Даташит, Описание, Даташиты
.271 (6.9)
.098
(2.5)
.137
(3.5)
BCE
.039 (1.0)
.039 (1.0)
.122
(3.1)
.177
(4.5)
.161
(4.1)
.098 (2.5)










Скачать PDF:

[ NTE16001.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE16000-ECGPolymeric Positive Temperature Coefficient (PTC) Resettable FusesNTE
NTE
NTE16001Silicon NPN Transistor Video IF AmpNTE
NTE
NTE16002Silicon NPN Transistor RF Power Output / PO = 13.5W / 175MHzNTE
NTE
NTE16003Silicon NPN Transistor RF Power Output / PO = 7W / 175MHzNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск