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PDF NTE199 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE199 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Low Noise / High Gain Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE199
Silicon NPN Transistor
Low Noise, High Gain Amplifier
Description:
The NTE199 is a silicon NPN transistor in a TO92 type package designed especially for low noise
preamplifier and small signal industrial amplifier applications. This device features low collector satu-
ration voltage, tight beta control, and excellent low noise characteristics.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Steady State Collector Current (Note 1), IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/°C
Total Power Dissipation (TA = +55°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260mW
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Note 1. Determined from power limitations due to saturation voltages at this current
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Static Characteristics
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ICBO
ICES
IEBO
VCB = 50V
VCB = 50V, TA = +100°C
VCB = 50V
VEB = 5V
Min Typ Max Unit
– – 30 nA
– – 10 µA
– – 30 nA
– – 50 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE19 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE190 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amplifier | NTE |
| NTE1900 | Integrated Circuit 3-Terminal Adjustable Positive Voltage Regulator | NTE |
| NTE1901 | Integrated Circuit Negative Adjustable Voltage Regulator / -1.2V to -37V / 100mA | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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