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PDF NTE226 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE226 | |
| Descripción | Germanium PNP Transistor Audio Power Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE226
Germanium PNP Transistor
Audio Power Amp
Description:
The NTE226 is a Germanium PNP transistor in a TO66 type package designed for high–fidelity, high–
power output applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +85°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +85°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 25V, IE = 0
– – 200 µA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 6V, IC = 0
– – 200 µA
DC Current Gain
hFE VCE = 1.5V, IC = 200mA
50 100 275
Small–Signal Current Gain Resistance fob VCE = 1.5V, IC = 200mA
– 0.7 – MHz
Base Spreading Resistance
rbb VCE = 1.5V, IC = 200mA, f = 6MHz – 15 – Ω
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE22 | Silicon NPN Transistor AF PO / General Purpose Amp / Driver | NTE |
| NTE221 | MOSFET Dual Gate / N-Channel for VHF TV Receivers Applications | NTE |
| NTE222 | Field Effect Transistor Dual Gate N-Channel MOSFET | NTE |
| NTE226 | Germanium PNP Transistor Audio Power Amp | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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