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PDF NTE2316 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2316 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Fast Switching Power Darlington | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2316
Silicon NPN Transistor
Fast Switching Power Darlington
Description:
The NTE2317 is an NPN transistor in a monolithic Darlington configuration mounted in a TO218 type
package designed for use in automotive ignition applications and inverter circuits for motor controls.
Applications:
D Automotive Ignition Applications
D Invert Circuits for Motor Controls
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage (VBE = 0), VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Total Power Dissipation (TC ≤ +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105W
Maximum Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
VCEO(sus)
ICES
ICEO
IEBO
IC = 100mA, IB = 0, Note 1
TJ = +25°C VCE = 500V,
TJ = +125°C VBE = 0
VCE = 450V, IB = 0
IC = 0, VEB = 5V
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.
Min Typ Max Unit
450 – – V
– – 1 mA
– – 5 mA
– – 1 mA
– – 20 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
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| NTE2310 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| NTE2311 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| NTE2312 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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