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PDF NTE2319 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2319 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Power Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2319
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Speed Power Switch
Description:
The NTE2319 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed,
power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line–operated
switchmode applications.
Features:
D Fast Turn–On Times @ TC = +100°C:
Inductive Fall Time: 50ns Typ
Inductive Crossover Time: 90ns Typ
Inductive Storage Time: 800ns Typ
D 100°C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Current
Applications:
D Switching Regulators
D Inverters
D Solenoids
D Relay Drivers
D Motor Controls
D Deflection Circuits
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
Collector–Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Base Current, IB
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Device Dissipation, PD
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 5µs, Duty Cycle ≥ 10%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE231 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit | NTE |
| NTE2310 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| NTE2311 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| NTE2312 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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