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PDF NTE232 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE232 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor Darlington Amplifier / Preamp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE232
Silicon PNP Transistor
Darlington Amplifier, Preamp
Description:
The NTE232 is a silicon, planar, epitaxial passivated PNP Darlington transistor in a TO92 type pack-
age designed for preamplifier input applications where high impedance is a requirement.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C
Operating Junction Temperature range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Static Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Forward Current Transfer Ratio
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter ON Voltage
V(BR)CES
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(on)
IC = 100µA, IB = 0
VCB = 30V, IE = 0
VBE = 8V, IC = 0
IC = 10mA, VCE = 5V
IC = 100mA, VCE = 5V
IC = 100mA, IB = 0.1mA
IC = 100mA, VCE = 5V, Note 1
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
30 – –
– – 100
– – 100
50k – –
20k – –
– 0.9 1.5
– 1.45 2.00
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE23 | Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp | NTE |
| NTE230 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit | NTE |
| NTE2300 | Silicon NPN Transistor High Voltage / Horizontal Output | NTE |
| NTE2301 | Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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