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PDF NTE2321 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2321 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Quad / General Purpose | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2321
Silicon NPN Transistor
Quad, General Purpose
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Transistor), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2mW/°C
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Total Device), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.9W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15.2mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
IC = 10mA, IB = 0, Note 1
IC = 10µA, IE = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 50V, IE = 0
VEB = 3V, IE = 0
40 – – V
60 – – V
5–– V
– – 50 nA
– – 50 nA
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Small–Signal Characteristics
hFE
VCE(sat)
VCE = 10V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 150mA
VCE = 10V, IC = 300mA
IC = 150mA, IB = 15mA
IC = 300mA, IB = 30mA
75 – –
100 – –
30 – –
– – 0.4 V
– – 1.6 V
Current Gain–Bandwidth Product
fT VCE = 20V, IC = 20mA, f = 100MHz, 200 350 – MHz
Note 1
Output Capacitance
Input Capacitance
Cobo
Cibo
VBE = 19V, IE = 0, f = 1MHz
VBE = 0.5V, IC = 0, f = 1MHz
– 4.5 8.0 pF
– 17 30 pF
Note 1. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE232 | Silicon PNP Transistor Darlington Amplifier / Preamp | NTE |
| NTE2320 | Silicon NPN/PNP Transistor Quad / General Purpose Switch / Amp (Complementary Pair) | NTE |
| NTE2321 | Silicon NPN Transistor Quad / General Purpose | NTE |
| NTE2322 | Silicon PNP Transistor Quad / General Purpose | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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