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PDF NTE2323 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2323 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Quad / Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2323
Silicon NPN Transistor
Quad, Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Die), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.98mW/°C
Total Device Dissipation (TA = +25°C, Four Die Equal Power), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.6mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Reistance, Junction–to–Ambient, RthJA
Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167°C/W
Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.5°C/W
Thermal Reistance, Junction–to–Case, RthJC
Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100°C/W
Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39°C/W
Coupling Factors, Junction–to–Ambient
Q1–Q4 or Q2–Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56%
Q1–Q2 or Q3–Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10%
Coupling Factors, Junction–to–Case
Q1–Q4 or Q2–Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46%
Q1–Q2 or Q3–Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5%
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IC = 1mA, IB = 0
IC = 100µA, IE = 0
IE = 100µA, IC = 0
VCB = 150V, IE = 0
Min Typ Max Unit
200 – – V
20 – – V
5–– V
– – 100 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE232 | Silicon PNP Transistor Darlington Amplifier / Preamp | NTE |
| NTE2320 | Silicon NPN/PNP Transistor Quad / General Purpose Switch / Amp (Complementary Pair) | NTE |
| NTE2321 | Silicon NPN Transistor Quad / General Purpose | NTE |
| NTE2322 | Silicon PNP Transistor Quad / General Purpose | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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