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PDF NTE233 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE233 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Video IF / Oscillator | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE233
Silicon NPN Transistor
Video IF, Oscillator
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0
30 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0
3–– V
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V, IE = 0
– – 50 nA
ICEO VCE = 30V, IB = 0
– – 1 µA
DC Pulse Current Gain
hFE IC = 10mA, VCE = 10V, Note 1 20 – 100
Collector Saturation Voltage
VCE(sat) IC = 20mA, IB = 0.1mA, Note 1 – 0.6 –
V
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 1mA, IB = 0, Note 1
30 – – V
Current Gain–Bandwidth Product
fT IC = 10mA, VCE = 10V,
f = 100MHz
300 – 700 MHz
Power Gain, Fixed Neutralization
Gpe IC = 10mA, VCE = 10V,
f = 45MHz
25 – – dB
Reverse Transfer Capacitance
Output Admittance, Input Short
Circuit
Cre IE = 0, VCB = 10V, f ≤ 1MHz
goe IC = 10mA, VCE = 10V,
f = 45MHz
0.6 – 1.1 pF
30 – 200 µmho
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE23 | Silicon NPN Transistor Ultra High Frequency Amp | NTE |
| NTE230 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) TV Deflection Circuit | NTE |
| NTE2300 | Silicon NPN Transistor High Voltage / Horizontal Output | NTE |
| NTE2301 | Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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