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PDF NTE2339 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE2339
Descripción Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch
Fabricantes NTE 
Logotipo NTE Logotipo



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NTE2339
Silicon NPN Transistor
High Voltage, High Speed Switch
Features:
D High Breakdown Voltage, High Reliability
D Fast Switching Speed
D Wide Safe Operating Area
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Note 1. Pulse Width 300µs, Duty Cycle 10%.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
ICBO
IEBO
hFE (1)
hFE (2)
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
VCB = 800V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 200mA
VCE = 5V, IC = 1A
VCE = 10V, IC 200mA
VCB = 10V, f = 1MHz
IC = 1.5A, IB = 300mA
IC = 1.5A, IB = 300mA
Min Typ Max Unit
– – 10 µA
– – 10 µA
20 – 40
8––
– 15 – MHz
– 60 – pF
– – 2.0 V
– – 1.5 V

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE233Silicon NPN Transistor Video IF / OscillatorNTE
NTE
NTE2330Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener DiodeNTE
NTE
NTE2331Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper DiodeNTE
NTE
NTE2332Darlington Silicon NPN Transistor w/ Internal Damper & Zener DiodeNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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