DataSheet26.com

NTE2351 PDF даташит

Спецификация NTE2351 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch».

Детали детали

Номер произв NTE2351
Описание Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE2351 Даташит, Описание, Даташиты
NTE2351 (NPN) & NTE2352 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington Power Amp, Switch
Features:
D High DC Current Gain: hFE (1) = 2000 Min @ VCE = 2V, IC = 1A
D Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V Max @ IC = 3A
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Collector Power Dissipation, PC
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cut–Off Current
Emitter Cut–Off Current
Collector–Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Switching Characteristics
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE (1)
hFE (2)
VCE(sat)
VBE(sat)
VCB = 100V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
IC = 10mA, IB = 0
VCE = 2V, IC = 1A
VCE = 2V, IC = 3A
IC = 3A, IB = 6mA
IC = 3A, IB = 6mA
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
ton VCC = 30V, IB1 = –IB2 = 6mA,
tstg Duty Cycle 1%
tf
Min Typ Max Unit
– – 20 µA
– – 2.5 mA
80 – – V
2000 – –
1000 – –
– – 1.5 V
– – 2.0 V
– 0.2 – µs
– 1.5 – µs
– 0.6 – µs









No Preview Available !

NTE2351 Даташит, Описание, Даташиты
B
]4.5k]300
C
E
B
]4.5k]300
C
E
.343 (8.72)
.059 (1.5)
.406
(10.3)
.413
(10.5)
.100 (2.54)
.148 (3.72)
.256 (6.5)
.043 (1.1)
.043 (1.1)
.032 (0.82)
.020 (.508)
BC E










Скачать PDF:

[ NTE2351.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE235Silicon NPN Transistor Final RF Power OutputNTE
NTE
NTE2350Silicon Darlington TransistorsNTE
NTE
NTE2351Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / SwitchNTE
NTE
NTE2352Silicon Complementary TransistorsNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск