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PDF NTE2376 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2376 | |
| Descripción | MOSFET N-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2376
MOSFET
N–Ch, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D Repetitive Avalanche Rated
D Isolated Central Mounting Hole
D Fast Switching
D Ease of Paralleling
D Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19A
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190W
Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W/°C
Gate–to–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfin (1.1Nm)
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), RthCS . . . . . . . . . . . 0.24°C/W
Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. VDD = 50V, starting TJ = +25°C, L = 683µH, RG = 25Ω, IAS = 30A
Note 3. ISD ≤ 30A, di/dt ≤ 190A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +150°C
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2370 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2371 | MOSFET P-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2372 | MOSFET P-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2373 | MOSFET P-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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