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PDF NTE2392 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2392 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2392
MOSFET
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Description:
The NTE2392 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor. Easy drive
and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical
applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor
speed control.
Features:
D Fast Switching
D Low Drive Current
D Ease of Paralleling
D No Second Breakdown
D Excellent Temperature Stability
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage (Note 1), VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Drain–Gate Voltage (RGS = 20kΩ, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Pulsed Drain Current (Note 3), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A
Clamped Inductive Current (L = 100µH), ILM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A
Continuous Drain Current, ID
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Total Dissipation (TC = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 0.063 in. (1.6mm) from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . +300°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Note 4), RthCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30°C/W
Note 1. TJ = +25° to +150°C
Note 2. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Note 3. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 4. Mounting surface flat, smooth, and greased.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE239 | Silicon Controlled Switch (SCS) | NTE |
| NTE2390 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE2392 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE2393 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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