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PDF NTE2407 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2407 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor General Purpose Amp / Surface Mount (Compl to NTE2406) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2407
Silicon PNP Transistor
General Purpose Amp, Surface Mount
(Compl to NTE2406)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . 556°C/W
Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA . . . . . . . . 417°C/W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C
Note 1. FR–5 = 1.000 (25.4mm) x .750 (19.05mm) x .062 (1.57mm).
Note 2. Alumina = .400 (10.2mm) x .300 (7.62mm) x .024 (.609mm), 99.5% alumina.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Base Current
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
ICEX
IB
IC = 10µA, IE = 0
IC = 10mA, IB = 0, Note 3
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 50V, IE = 0
VCB = 50V, IE = 0, TA = +125°C
VCE = 30V, VEB(off) = 0.5V
VCE = 30V, VEB(off) = 0.5V
Note 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
60 – – V
60 – – V
5––V
– – 0.01 µA
– – 10 µA
– – 50 nA
– – 50 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE240 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2401 | Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends | NTE |
| NTE2402 | Silicon Complementary Transistors Low Noise / UHF/VHF Amplifier | NTE |
| NTE2403 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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