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PDF NTE2557 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2557 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Darlington / High Voltage Switch / Power Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2557
Silicon NPN Transistor
Darlington, High Voltage Switch, Power Amp
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22A
Base Current, IB
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Total Transistor Dissipation (TC = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Transistion Frequency
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
fT
VCE(sat)
VBE(sat)
ton
tstg
tf
VCB = 200V
VCE = 200V
VEB = 7V
VCE = 3V, IC = 10A
VCE = 10V, IC = 1.5A
IC = 10A, IB = 30mA
IC = 10A, IB = 30mA
IB1 = IB2 = 30mA,
IC = 10A, RL = 3Ω,
VBB2 = 4V
Min Typ Max Unit
– – 0.1 mA
– – 0.1 mA
– – 5.0 mA
1500 – 30000
– 20 – MHz
– – 1.5 V
– – 2.0 V
––
2 µs
––
8 µs
––
5 µs
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE255 | Silicon NPN Transistor Horizontal Driver / Amp | NTE |
| NTE2550 | Silicon NPN Transistor Darlington Driver / Switch | NTE |
| NTE2551 | Silicon Complementary Transistors Darlington Driver / Switch | NTE |
| NTE2552 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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