DataSheet26.com

NTE2590 PDF даташит

Спецификация NTE2590 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch».

Детали детали

Номер произв NTE2590
Описание Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE2590 Даташит, Описание, Даташиты
NTE2590
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amp/Switch
Features:
D High Breakdown Voltage, High Reliability
D Low Output Capacitance
D Wide ASO Range
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain–Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
ICBO VCB = 900V, IE = 0
IEBO VEB = 4V, IC = 0
hFE VCE = 5V, IC =2mA
fT VCE = 10V, IC = 2mA
Cob VCB = 100V, f = 1MHz
VCE(sat) IC = 5mA, IB = 1mA
VBE(sat) IC =5A, IB = 1mA
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
V(BR)CEO IC = 1mA, RBE =
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
Min Typ Max Unit
– – 1.0 µA
– – 1.0 µA
20 50 120
– 6 – MHz
– 2.0 – pF
––5V
––2V
1700 – – V
900 – – V
5––V









No Preview Available !

NTE2590 Даташит, Описание, Даташиты
.402 (10.2)
.035
(0.9)
BC E
.346
(8.8)
.433
(11.0)
.100 (2.54)
.177 (4.5)
.051 (1.3)
.019 (0.5)










Скачать PDF:

[ NTE2590.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE2590Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/SwitchNTE
NTE
NTE2591Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/SwitchNTE
NTE
NTE2592Silicon NPN Transistor Horizontal Output for HDTVNTE
NTE
NTE2593Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/SwitchNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск