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PDF NTE287 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE287 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors High Voltage / General Purpose Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE287 (NPN) & NTE288 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Voltage, General Purpose Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector–Base Voltage, VCBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter–Base Voltage, VEBO
NTE287 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
NTE288 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation @ TA = +25°C, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = +25°C, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/mW
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/mW
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
NTE287
NTE288
Collector Cutoff Current
NTE287
NTE288
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 1
V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0
V(BR)EBO
IE = 100µA, IC = 0
ICBO
VCB = 200V, IE = 0
Emitter Cutoff Current
NTE287
NTE288
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
VEB = 3V, IC = 0
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
300 – – V
300 – – V
6––V
5––V
– – 0.1 µA
– – 0.25 µA
– – 0.1 µA
– – 0.1 µA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE28 | Germanium PNP Transistor | NTE |
| NTE280 | Silicon Complementary Trasistors Audio Power Amplifier | NTE |
| NTE281 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE282 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp / Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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