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PDF NTE29 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE29 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors High Power / High Current Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE29 (NPN) & NTE30 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Power, High Current Switch
Description:
The NTE29 (NPN) and NTE30 (PNP) are compelmentary power transistors in a TO3 type case designed
for use in high power amplifier and switching circuit applications.
Features:
D High Current Capability: IC = 50A (Continuous)
D DC Current Gain: hFE= 15 to 60 @ IC = 25A
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1V Max @ IC = 25A
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.715W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.584°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
VCEO(sus) IC = 0.2A, IB = 0, Note 1
ICEO VCE = 40V, IB = 0
ICEX VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V
VCE = 80V, VEB(off) = 1.5V,
TC = +150°C
ICBO VCB = 80V, IE = 0
IEBO VBE = 5V, IC = 0
Min Typ Max Unit
80 –
––
––
––
–V
1 mA
2 mA
10 mA
––
––
2 mA
5 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE20 | Silicon Complementary Transistors High Power / Low Collector Saturation Voltage Power Output | NTE |
| NTE2000 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits |  NTE Electronics |
| NTE2001 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits | NTE Electronics |
| NTE2003 | Integrated Circuit Dolby B-Type Noise Reduction Processor | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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