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PDF NTE2955 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2955 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2955
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Application:
D CS Switch for CRT Display Monitor
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 200µH), IDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32W
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.91°C/W
Isolation Voltage (AC for 1 minute, Terminal–to–Case), VISO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2000V
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drain–Source Breakdown Voltage
Gate–Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Threshold Voltage
Static Drain–Source ON Resistance
Drain–Source On–State Voltage
Forward Transfer Admittance
V(BR)DSS
IGSS
IDSS
VGS(th)
RDS(on)
VDS(on)
|yfs|
VDS = 0V, ID = 1mA
VGS = ±20V, VDS = 0V
VDS = 250V, VGS = 0
VDS = 10V, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 5A
VGS = 10V, ID = 5A
VGS = 10V, ID = 5A
Min Typ Max Unit
250 – – V
– – ±10 µA
– – 1.0 mA
2.0 3.0 4.0 V
– 0.40 0.52 Ω
– 2.0 2.6 V
– 9.0 –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE295 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / Driver | NTE |
| NTE2953 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2954 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2955 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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