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PDF NTE2967 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2967 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2967
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
D Motor Control
D Lamp Control
D Solenoid Control
D DC–DC Converter
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage (VGS = 0V), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Gate–Source Voltage (VDS = 0V), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100µH), IDA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Source Current, IS
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280A
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Channel Temperature Range, Tch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Channel–to–Case, Rth(ch–c) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W
Electrical Characteristics: (Tch = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Drain–Source Breakdown Voltage
Gate–Source Leakage
V(BR)DSS VDS = 0V, ID = 1mA
IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS VDS = 100V, VGS = 0
Gate Threshold Voltage
VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA
Static Drain–Source ON Resistance
Drain–Source On–State Voltage
Forward Transfer Admittance
RDS(on)
VDS(on)
|yfs|
VGS = 10V, ID = 35A
VGS = 10V, ID = 35A
VGS = 10V, ID = 35A
Min Typ Max Unit
100 – – V
– – ±0.1 µA
– – 0.1 mA
2.0 3.0 4.0 V
– 14 20 mΩ
– 0.49 0.70 V
– 53 –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE296 | Silicon PNP Transistor General Purpose Amplifier | NTE |
| NTE2960 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2966 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2967 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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