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PDF NTE2975 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2975 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2975
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Advanced Process Technology
D Ultra Low On–State Resistance
D Dynamic dv/dt Rating
D +175°C Operating Temperature
D Fast Switching
D Fully Avalanche Rated
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, ID
Continuous (VGS = 10V)
TC = +25°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37A
Pulse (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107W
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.71W/°C
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Avalanche Current (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A
Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11mJ
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3, Note 4), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152mJ
Peak Diode Recovery (Note 5), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W
Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, greased surface), RthCS . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W
Note 1. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package
limitation current is 39A.
Note 2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. Starting TJ = +25°C, L = 389µH, RG = 25Ω, IAS = 28A.
Note 4. This is a calculated value limited to TJ = +175°C.
Note 5. ISD ≤ 28A, di/dt ≤ 220A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +175°C
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE297 | Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier / Driver | NTE |
| NTE2970 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2971 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2972 | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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