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PDF NTE2980 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2980 | |
| Descripción | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2980
Logic Level MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Dynamic dv/dt Rating
D Logic Level Gate Drive
D RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V
D Fast Switching
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, ID
Continuous (VGS = 5V)
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.7A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.20W/°C
Total Power Dissipation (PC Board Mount, TC = +25°C, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.02W/°C
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . +260°C
Maximum Thermal Resistance:
Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0°C/W
Junction–to–Ambient (PCB Mount, Note 2), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W
Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110°C/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. When mounted on a 1” square PCB (FR–4 or G–10 material).
Note 3. L = 924µH, VDD = 25V, RG = 25Ω, Starting TJ = +25°C, IAS = 7.7A.
Note 4. ISD ≤ 10A, di/dt ≤ 90A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +150°C.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE298 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2980 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2981 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2984 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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